由哈尔滨医科大学附属一院赵世光教授领衔完成的《砷剂对脑胶质瘤细胞影响的基因芯片研究及颅内缓释剂型的研发》,从动物试验角度证实三氧化二砷(As2O3)能诱导脑胶质瘤细胞凋亡;同时自主研制了As2O3脂质体缓释剂,在胶质瘤切除术后直接置入手术区域,实现了脑胶质瘤术后局部缓释化疗。该成果日前获得2009年黑龙江省医药卫生科技进步一等奖。
赵世光等在前期研究中发现,As2O3可抑制脑胶质细胞系U87MG和T98G的增殖。在此基础上,研究者在脑胶质瘤动物模型上证实As2O3以剂量依赖的方式抑制肿瘤细胞增殖并诱导凋亡。他们将As2O3制成粒径为0.25~1 μm的单层脂质体,使之更好地透过血脑屏障,提高脑内药物浓度。在接受As2O3脂质体治疗后的大鼠脑胶质瘤组织电镜切片中,可见肿瘤细胞出现细胞凋亡的典型改变,并呈现出明显的剂量-时间依赖性关系。
赵世光等采用直接压片法将As2O3与无毒性、无刺激性、具有良好生物相融性的新型降解缓释材料—乙交酯-丙交酯聚合物(PLGA)按比例制成As2O3脂质体缓释剂,于胶质瘤切除术后直接置入手术区域,使脑胶质瘤术后局部缓释化疗成为可能。
国内专家在评价该研究时指出,此项研究的成果拓展了As2O3的抗瘤谱及其药用价值,特别是着眼于脑胶质瘤的缓释化学治疗,具有独创性和广阔的临床应用前景。
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